- يسعى Ultraram إلى توحيد التخزين والذاكرة بعد عقود من المحاولات
- ابتكار التمويل في المملكة المتحدة في عام 2023 أعطى زخم كويناس للتكنولوجيا الحرجية
- الاعتراف في قمة ذاكرة الفلاش رفع مستوى الرؤية التجارية Ultraram
كان السعي وراء ذاكرة واحدة قادرة على الجمع بين استمرار تخزين الفلاش وسرعة ذاكرة النظام مستمرة منذ عقود.
حاول العديد من المرشحين ، مثل الذاكرة المقاومة ، والخلايا المغناطيسية ، و SSDs من Intel ، دمج هذه الأدوار ، ولكن لم يستمر أي منها في الأسواق السائدة.
ومع ذلك ، قبل بضع سنوات ، تحولت الانتباه إلى Ultraram ، وهي تقنية تم وضعها في الأصل في جامعة لانكستر ، وتم تقدمها لاحقًا من قبل كويناس تكنولوجيا ، وهي شركة ناشئة مقرها المملكة المتحدة تأسست لتحويل البحث إلى منتج عملي.
من البحث الأكاديمي إلى ذاكرة النموذج الأولي
وصفت الدراسات المبكرة هذه التكنولوجيا بأنها “ذاكرة غير متطايرة مع إمكانية تحقيق تخزين إلكترون سريع الطاقة فائق الطاقة” ، مما يثير آمالًا في أن تتمكن من سد الفجوة بين SSD و RAM.
نما الزخم في عام 2023 عندما حصلت تقنية Quinas على منحة من Innovate UK ، وهي وكالة حكومية تدعم العلوم التجارية.
اتبعت الجائزة تقديرها في قمة Memory Flash في نفس العام ، حيث فازت الشركة بالجائزة لبدء تشغيل ذاكرة الفلاش المبتكرة.
سمح التمويل بالانتقال من النماذج الأولية على نطاق المختبر نحو الأجهزة على نطاق نانومتر ، وهو مطلب رئيسي إذا كان Ultraram هو التنافس مع أكبر منتجات SSD و RAM في السوق.
لكي تضع الهيئة الوطنية الثقة في المشروع وحتى تمويلها ، تشير إلى أن Ultraram قد تقدم إلى ما وراء الأبحاث المضاربة.
يمثل هذا نوع “التعزيز الضخم” المطلوب لبدء أعمال التحجيم الجاد ، وهي خطوة غالبًا ما تكون مفقودة من تقنيات الذاكرة السابقة التي تعثرت قبل الإنتاج.
يقال إن Ultraram يجمع بين أوقات الوصول السريع مع طاقة تبديل Ultralow وتحمل التخزين الذي يحتمل أن يقاس في قرون.
إنها أيضًا تقنية تتجاوز طول عمرها تقنية تخزين فلاش SSD المتوسط ، ولكن مع انخفاض الطلب على الطاقة.
يعد بمطابقة سرعات القراءة والكتابة من ذاكرة الوصول العشوائي مع تقديم عدم التنقل في NAND.
إذا تمسك هذه المطالبات على نطاق واسع ، فيمكن لأجهزة الحوسبة المستقبلية دمج التخزين والذاكرة في طبقة واحدة.
لن يزيل الفجوة التقليدية بين SSD و RAM فحسب ، ولكنه قد يجعل أيضًا ذاكرة تقليدية قديمة لأنها تجمع بين سرعة DRAM مع استمرار الفلاش مع إزالة عدم الكفاءة التي تؤثر على كليهما.
على عكس DRAM ، لا يتطلب قراءات منعشة أو مدمرة مستمرة ، وعلى عكس الفلاش ، فإنه لا يحتاج إلى مضخات الشحن أو التآكل.
ومع ذلك ، لا ينبغي التقليل من التحديات الصناعية. وعدت تقنية Optane من Intel أيضًا بحل هجين ولكن تم سحبها في النهاية بسبب ضعف التبني وارتفاع التكاليف.
لا تزال كثافة التصنيع قابلة للمقارنة مع أكبر SSD اليوم ، إلى جانب عوائد متسقة أقل من عشرة نانومترات ، غير مؤكدة.
تعني هذه الحواجز فكرة Ultraram كذاكرة عالمية لا تزال تقترب من الطموح من النتيجة المضمونة.
عبر جهاز الكمبيوتر
